智能PCB线路板组装服务商

在进入PCB设计过程步骤之前，必须首先回答一个关键问题：什么是PCB？PCB或印刷电路板是由贵金属制成的小型绿色电路板，它连接了对电子设备的正常运行必不可少的所有电气组件。在PCB制造过程包括不同的步骤和通常需要印刷电路板制造商以使极终的视觉生活。确定需求PCB设计的第一步可能是所有步骤中极关键的一步：确定为什么需要PCB。您正在尝试为什么问题创建解决方案？该PCB的目的是什么？没有明确的目标，就不可能找到正确的答案，因此请花一些时间来了解您的需求。一旦确定了问题，您还应该确定您希望产品的极终概念是什么。极终概念的一些关键部分包括：*设计特点*必填功能*所需的性能功能*连接*放置*极终尺寸20世纪初至20世纪40年代末，是PCB基板材料业发展的萌芽阶段。智能PCB线路板组装服务商

这个原理看起来简单，但是设计的精髓(know-how)是什么？怎么触发BJT？怎么维持Snap-back？怎么撑到HBM>2KVor4KV？如何触发？必须有足够大的衬底电流，所以后来发展到了现在普遍采用的多指交叉并联结构(multi-finger)。但是这种结构主要技术问题是基区宽度增加，放大系数减小，所以Snap-back不容易开启。而且随着finger数量增多，会导致每个finger之间的均匀开启变得很困难，这也是ESD设计的瓶颈所在。如果要改变这种问题，大概有两种做法(因为triger的是电压，改善电压要么是电阻要么是电流)。大批量PCB线路板组装打样电子设备采用印制板后，由于同类印制板的一致性，从而避免了人工接线的差错。

利用SAB(SAlicide-Block)在I/O的Drain上形成一个高阻的non-Silicide区域，使得漏极方块电阻增大，而使得ESD电流分布更均匀，从而提高泄放能力；2、增加一道P-ESD (Inner-Pickup imp，类似上面的接触孔P+ ESD imp)，在N+Drain下面打一个P+，降低Drain的雪崩击穿电压，更早有比较多的雪崩击穿电流(详见文献论文: Inner Pickup on ESD of multi-finger NMOS.pdf)。对于Snap-back的ESD有两个小小的常识要跟大家分享一下：1)NMOS我们通常都能看到比较好的Snap-back特性，但是实际上PMOS很难有snap-back特性，而且PMOS耐ESD的特性普遍比NMOS好，这个道理同HCI效应，主要是因为NMOS击穿时候产生的是电子，迁移率很大，所以Isub很大容易使得Bulk/Source正向导通，但是PMOS就难咯。

3、Vdd-Vss之间静电放电：只需要把Vdd和Vss接起来，所有的I/O全部浮接(floating)，这样给静电让他穿过Vdd与Vss之间。4、Analog-pin放电测试：因为模拟电路很多差分比对(Differential Pair)或者运算放大器(OP AMP)都是有两个输入端的，防止一个损坏导致差分比对或运算失效，所以需要单独做ESD测试，当然就是只针对这两个pin，其他pin全部浮接(floating)。好了，ESD的原理和测试部分就讲到这里了，下面接着讲Process和设计上的factor随着摩尔定律的进一步缩小，器件尺寸越来越小，结深越来越浅，GOX越来越薄，所以静电击穿越来越容易，而且在Advance制程里面，Silicide引入也会让静电击穿变得更加尖锐，所以几乎所有的芯片设计都要克服静电击穿问题。PCB和各种元件组装部件还可组装形成更大部件、系统，直至整机。

设计上的ESD：这就完全靠设计者的功夫了，有些公司在设计规则就已经提供给客户solution了，客户只要照着画就行了，有些没有的则只能靠客户自己的designer了，很多设计规则都是写着这个只是guideline/reference，不是guarantee的。一般都是把Gate/Source/Bulk短接在一起，把Drain结在I/O端承受ESD的浪涌(surge)电压，NMOS称之为GGNMOS (Gate-Grounded NMOS)，PMOS称之为GDPMOS (Gate-to-Drain PMOS)。以NMOS为例，原理都是Gate关闭状态，Source/Bulk的PN结本来是短接0偏的，当I/O端有大电压时，则Drain/Bulk PN结雪崩击穿，瞬间bulk有大电流与衬底电阻形成压差导致Bulk/Source的PN正偏，所以这个MOS的寄生横向NPN管进入放大区(发射结正偏,集电结反偏)，所以呈现Snap-Back特性，起到保护作用。PMOS同理推导。放大电路中三极管集电极的直流信号不随输入信号而改变，而交流信号随输入信号发生变化。大批量PCB线路板组装打样

已知三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。智能PCB线路板组装服务商

4、还有一种复杂的ESD保护电路:可控硅晶闸管(SCR:SiliconControlledRectifier)，它就是我们之前讲过的CMOS寄生的PNPN结构触发产生Snap-Back并且Latch-up，通过ON/OFF实现对电路的保护，大家可以回顾一下，只要把上一篇里面那些抑制LATCH-up的factor想法让其发生就可以了，不过只能适用于Layout，不能适用于Process，否则Latch-up又要fail了。结尾，ESD的设计学问太深了，我这里只是抛砖引玉给FAB的人科普一下了，基本上ESD的方案有如下几种:电阻分压、二极管、MOS、寄生BJT、SCR(PNPNstructure)等几种方法。智能PCB线路板组装服务商

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